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IXFH 100N25P
150
Fig. 7. Input Adm ittance
90
80
Fig. 8. Transconductance
125
100
70
60
T J = -40oC
25oC
125oC
50
75
40
50
25
0
T J = 125oC
25oC
-40oC
30
20
10
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
0
25
50
75
100
125
150
175
200
300
V GS - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 125V
250
200
150
8
7
6
5
4
I D = 50A
I G = 10mA
100
50
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
10000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1000
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
C iss
100
R DS(on) Limit
100μs
T J = 150oC
T C = 25oC
25μs
1ms
1000
f = 1MHz
C oss
C rss
10
DC
10ms
100
1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V DS - Volts
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